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KND3203C 是 KIA 品牌推出的 TO-252 封装 N 沟道 MOSFET,额定 30V/100A,典型 Rds (on) 低至 3.2mΩ,采用先进沟槽工艺,开关性能优异,适配电机驱动、电池管理、UPS 电源等场景,可直接替代同规格竞品,货源稳定。
www.kiaic.com/article/detail/6468.html 2026-06-11
KNY3903A 是 KIA 品牌推出的 DFN5×6 封装 N 沟道 MOSFET,额定 30V/85A,典型 Rds (on) 低至 4.0mΩ,开关速度快、抗 dv/dt 干扰能力强,适配电源适配器、LED 驱动、工控小电源等场景,可直接替代同规格竞品,货源稳定。
www.kiaic.com/article/detail/6466.html 2026-06-11
想摆脱进口 MOSFET 交期不稳定、成本高昂的困境?KNY3403B 30V/85A N 沟道 MOSFET 采用 DFN5×6 封装,性能对标进口型号,典型 RDS (ON)=4.5mΩ,支持 Pin-to-Pin 兼容替代,无需改板即可直接替换;具备低导通损耗、低开关损耗、高抗冲击能力,专为 UPS 不...
www.kiaic.com/article/detail/6465.html 2026-06-10
想摆脱进口 MOSFET 交期不稳定、成本高昂的困境?KNG3080B 30V/80A N 沟道 MOSFET 采用 DFN3×3 封装,性能对标进口型号,典型 RDS (ON)=4.1mΩ,支持 Pin-to-Pin 兼容替代,无需改板即可直接替换;具备低导通损耗、低开关损耗、高抗冲击能力,专为快充、电...
www.kiaic.com/article/detail/6464.html 2026-06-10
KNY3080B 是一款专为高功率密度电源设计的 30V/80A N 沟道沟槽 MOSFET,采用 DFN5×6 封装,典型 Rds (ON)=4.1mΩ@VGS=10V,总栅极电荷仅 32nC,具备优异的抗 dv/dt 性能,广泛应用于快充同步整流、电池管理系统、不间断电源(UPS),是工程师解决电源效率...
www.kiaic.com/article/detail/6460.html 2026-06-10
KNY3080A 30V 80A MOSFET DFN5*6 大电流管4.2mΩ 低内阻 超薄封装 高效率KNY3080A、KNY3080A MOSFET、30V 80A MOSFET、DFN5*6 MOSFET、N沟道MOSFETKNY3080A(3080A)80A 30V N沟道MOSFET规格参数表* { box-sizing: bo
www.kiaic.com/article/detail/6459.html 2026-06-09
还在为大功率电源发热大、温升超标、效率低发愁?KNB3403C 采用先进沟槽工艺,TO-263 大散热封装实现 4.5mΩ 超低 Rds (on),80A 大电流、±20V 宽驱动余量,散热性能优异,轻松解决高功率电路损耗高、烧管风险问题。适配快充、BMS、工控电源,兼容 AO3403...
www.kiaic.com/article/detail/6458.html 2026-06-09
还在为大功率电源发热大、散热差、效率低发愁?KND3403C 采用先进沟槽工艺,TO-252 封装实现 4.5mΩ 超低 Rds (on),80A 大电流、±20V 宽驱动余量,散热性能优异,轻松解决高功率电路损耗高、温升超标问题。适配快充、BMS、工控电源,兼容 AO3403/AON3403...
www.kiaic.com/article/detail/6457.html 2026-06-09
还在为大电流电源发热大、散热差、效率低发愁?KNY3403C 采用先进沟槽工艺,DFN5*6 封装实现 4.3mΩ 超低 Rds (on),80A 大电流、±20V 宽驱动余量,散热性能优异,轻松解决高功率电路损耗高、温升超标问题。适配快充、BMS、工控电源,兼容 AO3403/AON3403...
www.kiaic.com/article/detail/6456.html 2026-06-08
还在为快充电源发热大、效率低发愁?KNG3403C 采用先进沟槽工艺,DFN3*3 封装实现 4.3mΩ 超低 Rds (on),80A 大电流、±20V 宽驱动余量,轻松解决同步整流损耗高、温度超标问题。适配 AC/DC 快充、BMS、UPS,兼容 AO3403/AON3403,量产级稳定性,降低售后...
www.kiaic.com/article/detail/6455.html 2026-06-08
还在为快充电源发热大、效率低发愁?KNG3603A 采用先进沟槽工艺,DFN3*3 封装实现 4.7mΩ 超低 Rds (on),60A 大电流、±20V 宽驱动余量,轻松解决同步整流损耗高、温度超标问题。适配 AC/DC 快充、BMS、UPS,兼容 AO3400/AON3611,量产级稳定性,降低售后...
www.kiaic.com/article/detail/6454.html 2026-06-08
KIA 原厂 KIA50N03CD 功率 MOS,30V/50A、TO252 贴片,完美替代 NCE3050、IPD50N03 等进口型号。6.5mΩ 低内阻、全检雪崩,适配快充、小家电电源,原厂现货长期供货。
www.kiaic.com/article/detail/6453.html 2026-06-05
KIA41100系列MOSFET(TO-252/220/220F),1000V耐压/2A电流,典型RDS(on)仅9.6Ω,解决高压电源效率低、发热大、稳定性差的痛点。快恢复体二极管,适配适配器、充电器、SMPS待机电源,原厂直供现货稳定
www.kiaic.com/article/detail/6417.html 2026-06-03
【KIA 45100A现货直供】N沟道MOSFET,1000V/6A核心参数,RDS(ON)典型值2.0Ω,低栅极电荷+内置快恢复体二极管,大幅降低开关损耗。支持TO-220/TO-252/TO-220F多封装,可无缝替代IXFH6N100F、STF8NK100Z等竞品,适配适配器、充电器、SMPS待机电源,工业级稳定,...
www.kiaic.com/article/detail/6356.html 2026-06-03